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Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 1-5
作者:  Li, P (Li, Pei)[ 1 ];  He, CH (He, ChaoHui)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, HongXia)[ 2,3 ];  Zhang, JX (Zhang, JinXin)[ 4 ];  Li, YH (Li, YongHong)[ 1 ]
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