机构

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采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2008 [4]
• 2005 [1]

学科主题

• 光学材料;光学玻璃 [2]
• 光学材料 [1]
• 光学材料;晶体 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Cr~(2+):ZnSe的激光输出和调谐性能 期刊论文  OAI收割 中国激光, 2008, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1495, 1499 杨勇; 唐玉龙; 徐剑秋; 杭寅 收藏  |  浏览/下载：2814/177  |  提交时间：2009/09/18 材料  中红外  ZnSe晶体  调谐激光  Crystal lasers  Doped silicas  Emission spectrums  IR wavelengths  Laser bandwidths  Laser materials  Laser outputs  Maximum output powers  Mid-IR  Output powers  Physical vapor transports  Tunable laser  Tuning abilities  Tuning methods  ZnSe crystal   碱金属氟化物对掺Yb~(3+)氟磷酸盐玻璃析晶稳定性和光谱性质的影响 期刊论文  OAI收割 光学学报, 2008, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 2383, 2387 董擎雷; 张丽艳; 胡丽丽 收藏  |  浏览/下载：1001/180  |  提交时间：2009/09/24 光学材料  吸收和发射截面  Yb3+  离子  拉曼振动峰  Absorption and emission cross section  Alkaline metals  Binary systems  Crystalization  Doped fluorophosphate glasses  Emission cross sections  Glass networks  Raman spectrums  Raman vibration peak  Reciprocity methods  Spectral properties  Spectroscopic properties  Yb3+ ion   X 射线转换屏用Tb3+激活磷酸盐发光玻璃 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2008, 卷号: 37, 期号: s1, 页码: 78, 80 何冬兵; 于春雷; 胡丽丽 收藏  |  浏览/下载：1189/330  |  提交时间：2009/09/24 Co-doped  Digital radiographies  Emission spectrums  Excitation spectrum  High temperature melt-annealing method  Medical devices  Phosphate glass  Promising materials  Scintillating glass X-ray conversion screens  Space resolutions  Tb3+-activated phosphate luminescent glass  Uv excitations  X-ray luminescences   Nd：YbVO4晶体的拉曼光谱和荧光光谱研究 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1330, 1336 金晶; 夏海瑞; 孙尚倩; 冉栋刚; 刘凤芹; 毕文婕; 张怀金; 程艳 收藏  |  浏览/下载：1044/149  |  提交时间：2009/09/24 Nd:YbVO4晶体  Absorption peaks  极化拉曼光谱  Active vibrations  吸收光谱  Branching ratios  荧光光谱  Central wavelengths  能量传递  Emission cross sections  Fluorescent spectra  Group theories  Intensity parameters  Nd:YbVO4 crystal  Polarized Raman spectra  Radiative lifetimes  Raman spectrums  Room temperatures  Scattering geometries   High-power InGaAs VCSEL's single devices and 2-D arrays (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割 Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications, November 7, 2005 - November 10, 2005, Shanghai, China 作者:  Sun Y.;  Wang L.;  Wang L.;  Wang L.;  Liu Y. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/03/25 We report on bottom-emitting vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSEL's) and laser arrays providing high output powers in the 980-nm wavelength regime. Single devices with active diameters of 500 m show high output powers of 1.95 W at room temperature. Its threshold current is 510 mA  and the maximum spatially averaged optical power density is 0.93 kW/cm2. A 16 elements array with 200m aperture size (250m center spacing) of individual elements shows a CW output power of 1.21 W at room temperature  resulting in a average optical power density of 1KW/cm2. The threshold current of the array is 1.32A and the lasing peak wavelength is 981.9 nm. The distinction of emission spectrums between the single device and the array is discussed.