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浏览/检索结果: 共20条,第1-10条 帮助

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阳离子交换增强β-NaGdF_4∶Yb~(3+),Tm~(3+)纳米晶近红外发光 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2017, 页码: 1267-1272
作者:  
贾明理;  张家骅
  |  收藏  |  浏览/下载:31/0  |  提交时间:2018/04/09
钠离子电池正极材料氟磷酸钒钠的低温制备 及性能探究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  
戚钰若
收藏  |  浏览/下载:340/0  |  提交时间:2017/09/08
一种从泡叶藻中提取制备低分子岩藻聚糖硫酸酯的方法 专利  OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201210424580.8, 申请日期: 2014-05-14, 公开日期: 2014-05-14
韩丽君; 袁毅; 郭书举; 曲桂艳; 刘旭
收藏  |  浏览/下载:71/0  |  提交时间:2014/08/04
一种从泡叶藻中提取制备低分子岩藻聚糖硫酸酯的方法  酸浸泡后的泡叶藻固体继续加入其体积3‑6倍的水溶液  2)将上层漂浮物调节至pH5.5‑6.5  将上述依次经稀酸和水浸泡后固态藻体采用纳米高压均质机进行细胞破碎  3)将上述合并液  4)将上述岩藻聚糖硫酸酯粗干品加入其3‑5倍重量的蒸馏水中进行溶解  其特征在于:1)将泡叶藻原料于40‑60℃下浸泡提取在泡叶藻原料干藻重量6‑10倍的稀盐酸溶液中1.3‑4.8h  搅拌浸泡4‑7h  在经过滤或高速离心  破碎后进行离心分离收集上清液B  过滤液A和上清液B混合均匀后进行超滤去除盐分  溶解后通过装有DEAE‑Sepharose F.F.的阴离子交换树脂柱进行洗脱  稀酸浸泡液待用  收集水浸泡液  收集过滤液A  而后超滤浓缩至原料重量的1/2体积(V/W)  收集洗脱液透析后于55‑65℃低温浓缩并冷冻干燥获得  保留上层漂浮物  将稀酸浸泡和水浸泡液合并待用  浓缩液进行醇沉淀  即得到原藻重量1.5‑2.3%的岩藻聚糖硫酸酯。  沉淀物干燥  即为岩藻聚糖硫酸酯粗干品  
海南地区电离层等离子体泡的多仪器同时观测 期刊论文  OAI收割
电波科学学报, 2014, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 66-71
作者:  
王国军;  史建魁;  程征伟;  王霄;  尚社平
收藏  |  浏览/下载:188/0  |  提交时间:2014/07/14
双功能离子液体萃取剂[A336][P204]萃取Ce(IV)和F(I)的动力学(英文) 期刊论文  OAI收割
中国有色金属学报(英文版),, 2014, 期号: 6, 页码: 1937-1945
杨华玲; 陈继; 张冬丽; 王威; 崔红敏; 刘郁
收藏  |  浏览/下载:130/0  |  提交时间:2015/12/16
双离子成分下的赤道电离层R-T不稳定性 期刊论文  OAI收割
空间科学学报, 2013, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 34-38
李彩云; 黄文耿
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2014/04/30
博士论文-中国散裂中子源负氢离子源的控制系统研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  
卢艳华
收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2015/10/12
双离子成分下赤道电离层的R-T不稳定性 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院, 2012
李彩云
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2014/07/03
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
基于TCP/IP协议的CSR离子泵电源远程监控软件系统设计 期刊论文  OAI收割
核电子学与探测技术, 2009, 卷号: 2009, 期号: 02, 页码: 247-250+315
林飞宇; 王彦瑜; 黄继江; 郭玉辉; 方正
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/10/29