机构

• 上海技术物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 学位论文 [3]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 红外探测材料与器件 [2]
• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 潘旭 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/06/05 AlxGa1-xN三元合金  高Al组分  紫外探测器  金属有机物化学气相外延  Si基GaN   平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  包西昌   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/09/11 平面型gan基紫外探测器  器件制备  离子注入  电容特性  负微分电容   GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  亢勇   |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2012/07/11 Gan基阵列紫外探测器  器件制备  Icp干法刻蚀  结电容频率特性  内量子效率   GaN基紫外探测器 期刊论文  OAI收割 红外, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 23-27 作者:  李雪   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/11/14 日盲特性  Gan基紫外探测器