机构

• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2014 [1]
• 2010 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/02/03 Self-terminating  normally-off  AlGaN/GaN MOSFET  GaN cap layer  gate recess  recess mask   The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in ingan/gan single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 5 作者:  Hu Xiao-Long;  Zhang Jiang-Yong;  Shang Jing-Zhi;  Liu Wen-Jie;  Zhang Bao-Ping 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Exciton-longitudinal-optical-phonon  Ingan/gan single quantum well  Gan cap layer  Huang-rhys factor   The exciton-longitudinal-optical-phonon coupling in InGaN/GaN single quantum wells with various cap layer thicknesses 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117801 Hu XL (Hu Xiao-Long); Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Shang JZ (Shang Jing-Zhi); Liu WJ (Liu Wen-Jie); Zhang BP (Zhang Bao-Ping) 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/12/28 exciton-longitudinal-optical-phonon  InGaN/GaN single quantum well  GaN cap layer  Huang-Rhys factor