机构

• 半导体研究所 [1]
• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 材料科学与物理化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Theoretical Studies of the Reaction Paths and Rate Constants for SiH4 + H System 期刊论文  OAI收割 Asian Journal of Chemistry, 2012, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1798-1804 作者:  Qi, Chuansong;  Sun XM(孙孝敏) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/04/27 Direct dynamics studies  Variational transition-state theory  H + SiH4 System  Ab initio potential energy surface  Rate constants   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS