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• 近代物理研究所 [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 PL and XPS study of radiation damage created by various slow highly charged heavy ions on GaN epitaxial layers 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 23, 页码: 2835-2839 作者:  Zhang, C. H.;  Sun, Y. M.;  Jin, Y. F.;  Zhang, L. Q.;  Yang, Y. T.   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/10/15 Gallium nitride (GaN)  Highly charged ions (HCl)  Photoluminescence (PL)  X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)