机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104 作者:  Li MF;  He JF 收藏  |  浏览/下载：44/3  |  提交时间：2011/07/05 I-N PHOTODIODES   Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6 Xu HZ; Wang ZG; Kawabe M; Harrison I; Ansell BJ; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  photoluminescence  optical quenching of photoconductivity  native defect level  molecular beam epitaxy  SINGLE-CRYSTAL GAN  I-N PHOTODIODES  HIGH-SPEED  PHOTOCONDUCTORS  ALXGA1-XN  SIMULATIONS  DETECTORS  SAPPHIRE  LAYERS