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• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• Instrument... [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Wavelength extended InGaAs/InAlAs/InP photodetectors using n-on-p configuration optimized for back illumination 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 52-56 Zhang, YG(张永刚）; Gu, Y; Tian, ZB; Li, AZ; Zhu, XR; Wang, K 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  DARK CURRENT  INGAAS PHOTODETECTORS  INFRARED DETECTORS  PHOTODIODES  EFFICIENCY  BUFFER  MOCVD   Growth of GaSb layers on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084 Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2010/03/29 INFRARED PHOTODIODES