机构

• 半导体研究所 [3]
• 理论物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [1]
• 1996 [1]
• 1995 [1]
• 1993 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• Physics [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT   Theory of resonant magnetotunneling in nanostructures: Nonequilibrium Green 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 1996, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 2051-2056 作者:  Zhou, H;  Lin, TH;  Zhou, H , BEIJING UNIV,DEPT PHYS,MESOSCOP PHYS LAB,BEIJING 100871,PEOPLES R CHINA.   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/08/29 Double-barrier Heterostructure  Space-charge Buildup  Magnetic-field  Intrinsic Bistability  States   Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371 Song AM; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/17 electron states  RESONANT-TUNNELING STRUCTURE  SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  PHONON-EMISSION  DEVICES  DIODE   SELF-CONSISTENT TREATMENT OF 3-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL AND 2-DIMENSIONAL - 2-DIMENSIONAL RESONANT-TUNNELING IN DOUBLE-BARRIER STRUCTURES 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 48, 期号: 7, 页码: 4575-4585 ZHU BF; HUANG K 收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2010/11/15 SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  DEVICES  DIODES  HETEROSTRUCTURES  ACCUMULATION  MODEL