机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2001 [2]
• 2000 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence properties of self-organized ingaas/gaas quantum dot structures 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24 作者:  Niu, ZC;  Wang, XD;  Miao, ZH;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas self-organized quantum dots photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Ingaas capping layer   Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：120/4  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence  molecular beam epitaxy  InGaAs capping layer  1.35 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  EMISSION  LAYER   Temperature dependence of the optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/GaAs  MBE  PL  STM  bimodal size distribution  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  CARRIER RELAXATION  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  TRANSITION