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半导体研究所 [2]
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Photoluminescence properties of self-organized ingaas/gaas quantum dot structures
期刊论文
iSwitch采集
Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
作者:
Niu, ZC
;
Wang, XD
;
Miao, ZH
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Inas/gaas self-organized quantum dots photoluminescence
Molecular beam epitaxy
Ingaas capping layer
Photoluminescence properties of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
OAI收割
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 20-24
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
|
浏览/下载:122/4
|
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs self-organized quantum dots photoluminescence
molecular beam epitaxy
InGaAs capping layer
1.35 MU-M
OPTICAL-PROPERTIES
EMISSION
LAYER
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