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长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
学科主题
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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices
期刊论文
OAI收割
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:
Liu, T.
;
Xiang, D.
;
Zheng, Y.
;
Wang, Y. A.
;
Wang, X. Y.
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提交时间:2019/09/17
homogeneous p-n junctions and inverters
MoTe2/BN heterostructures
nonvolatile and programmable
photodoping in MoTe2 devices
photoresist-free
transition-metal dichalcogenides
black phosphorus
mos2
wse2
inverters
graphene
diodes
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