在工业烟气中  高氯代苯  当NH3-SCR反应与氯苯催化氧化共存时  （2）V2O5/TiO2催化剂催化氯苯的作用机理为：a氯苯发生亲核取代  b表面酚盐物种进一步氧化成邻苯二酚盐和对苯二酚盐物种  c苯二酚盐物种进一步氧化形成苯醌  d苯醌发生分解  （3）O2浓度提高有利于催化氧化反应的进行  向氯苯催化体系中引入NH3-SCR反应后  NH3与氯苯之间发生竞争吸附  氯苯  催化  SCR  机理  常见的氯代芳烃污染物有氯苯  多氯联苯和二恶英可归于持久性有机污染物（POPs）  探索了其影响氯苯催化反应的过程和机制。 本论文得出以下结论： （1）V2O5/TiO2催化剂对苯  在催化剂表面形成表面酚盐物种  即环状结构得到破坏形成马来酸  H2O的引入对催化反应有抑制作用  NO的存在对氯苯催化有促进作用  导致氯苯催化转化率下降。 本论文的研究工作为V2O5/TiO2催化剂在工业烟气催化降解氯代芳烃领域的应用提供了实验和理论依据。 关键词：V2O5/TiO2  氯酚  虽然含量低  苯酚  醋酸以及醛类物质  促进作用来源于NO与催化剂作用形成的表面NO2物种和硝酸盐物种  多氯联苯以及二恶英。其中  但毒性巨大  氯苯  并进一步氧化生成CO  但由于高温时催化剂表面硝酸盐物种减少使这种促进作用变得微弱  氯苯  严重危害人体健康  1  CO2  1  污染生态环境。 催化氧化法是去除工业烟气中氯代芳烃污染最为有效的方法之一。本文使用V2O5/TiO2催化剂  3-二氯苯和1  H2O和HCl最终完成氯苯的催化氧化过程  2二氯苯和1  针对苯  3  3-二氯苯符合挥发性有机化合物（VOCs）的定义  苯酚  5-三氯苯催化氧化机制是类似的  具有很强的挥发性  氯苯  Cl官能团数量增加  1  催化反应活性降低  3-二氯苯  1  3  5-三氯苯进行了活性评价和原位红外研究  提出了氯代芳烃催化降解过程中的具体步骤  并对苯环上不同官能团以及Cl官能团数量对于催化过程的具体影响进行了探索。另外  研究了烟气中复杂组分对氯苯催化氧化过程的影响  

Nh3挥发  干旱区  天然草地  喀斯特农田  生物炭技术  

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  

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