中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1998 [2]
学科主题
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Intrasubband and intersubband transitions in lightly and heavily doped GaAs/AlGa1-xAs multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 12388
Zhu, QS
;
Wang, XB
;
Zhong, ZT
;
Zhou, XC
;
He, YP
;
Cao, ZP
;
Zhang, GZ
;
Xiao, J
;
Sun, XH
;
Yang, HZ
;
Du, QG
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2013/09/18
LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY
SUB-BAND ABSORPTION
INFRARED PHOTODETECTORS
GAAS
HETEROSTRUCTURES
ELECTRONS
Intrasubband and intersubband transitions in lightly and heavily doped GaAs/AlGa1-xAs multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1998, 卷号: 57, 期号: 19, 页码: 12388-12396
Zhu QS
;
Wang XB
;
Zhong ZT
;
Zhou XC
;
He YP
;
Cao ZP
;
Zhang GZ
;
Xiao J
;
Sun XH
;
Yang HZ
;
Du QG
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY
SUB-BAND ABSORPTION
INFRARED PHOTODETECTORS
GAAS
HETEROSTRUCTURES
ELECTRONS