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新疆理化技术研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
学科主题
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Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
作者:
Zhou, H (Zhou Hang)
;
Cui, JW (Cui Jiang-Wei)
;
Zheng, QW (Zheng Qi-Wen)
;
Guo, Q (Guo Qi)
;
Ren, DY (Ren Di-Yuan)
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提交时间:2018/01/26
Reliability
Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor
Total Ionizing Dose Effect
Electrical Stress