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• 2012 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105 Wang, ZJ; Cheng, XH; He, DW; Xia, C; Xu, DW; Yu, YH; Zhang, D; Wang, YY; Lv, YQ; Gong, DW; Shao, K 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 SOI  Simbond  High voltage device  LDMOS