机构

• 新疆理化技术研究所 [1]
• 自动化研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2021 [1]
• 2018 [1]
• 2015 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者:  He, Ze;  Zhao, Shi-Wei;  Liu, Tian-Qi;  Cai, Chang;  Yan, Xiao-Yu   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE)  Error detection and correction (EDAC) code  Heavy ion  Radiation hardening technology  Single event upset (SEU)  Static random-access memory (SRAM)   Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CF (He, Chengfa)   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm)  Static Random Access Memory (Sram)  Total Ionizing Dose (Tid)   基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文  OAI收割 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者:  刘丽 收藏  |  浏览/下载：230/0  |  提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅  KFZ加固  单粒子翻转  静态随机存储器  silcon-on-insulator(SOI)  radiation hardness  sigle event upset(SEU)  static random access memory(SRAM)