机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Influence of precipitates on gan epilayer quality 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 作者:  Kang, JY;  Huang, QS;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Precipitate  Gan  Wds  Tem  Cathodoluminescence   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2010/08/12 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文  OAI收割 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/15 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH