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Study on photoluminescence properties of 1.05 eV InGaAsP layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 17, 页码: 7
作者:  Yang, WX(杨文献);  Ji, L(季莲);  Dai, P(代盼);  Tan, M(谭明);  Wu, YY(吴渊源)
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/12/31