机构

• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaN/GaN heterostructures  In-doping  2DEG  electron sheet density  X-ray diffraction  etching  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MOBILITY  GROWTH  FILMS