机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 重庆绿色智能技术研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2021 [1]
• 2010 [2]
• 2009 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Lattice Thermal Transport in the Homogeneous Cage-Like Compounds Cu3VSe4 and Cu3NbSe4: Interplay between Phonon-Phase Space, Anharmonicity, and Atomic Mass 期刊论文  OAI收割 CHEMPHYSCHEM, 2021, 页码: 7 作者:  Yang, Dingfeng;  Yang, Junzhu;  Quan, Xuejun;  Zhang, Bin;  Wang, Guoyu   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/12/23 cage-like compounds  phonon-phase space  Gruneisen parameters  third-order force constant  lattice thermal conductivity   Stretchable graphene: a close look at fundamental parameters through biaxial straining 期刊论文  iSwitch采集 Nano letters, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 3453-3458 作者:  Ding, Fei;  Ji, Hengxing;  Chen, Yonghai;  Herklotz, Andreas;  Doerr, Kathrin 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Graphene  Strain engineering  Gruneisen parameters  Raman spectroscopy  Piezoelectric actuator   Stretchable Graphene: A Close Look at Fundamental Parameters through Biaxial Straining 期刊论文  OAI收割 nano letters, 2010, 卷号: 10, 期号: 9, 页码: 3453-3458 Ding F (Ding Fei); Ji HX (Ji Hengxing); Chen YH (Chen Yonghai); Herklotz A (Herklotz Andreas); Dorr K (Doerr Kathrin); Mei YF (Mei Yongfeng); Rastelli A (Rastelli Armando); Schmidt OG (Schmidt Oliver G.) 收藏  |  浏览/下载：247/38  |  提交时间：2010/09/20 Graphene  strain engineering  Gruneisen parameters  Raman spectroscopy  piezoelectric actuator   Studies on thermodynamic properties of III-V compounds by first-principles response-function calculation 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2009, 卷号: 246, 期号: 7, 页码: 1618-1627 S. Q. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 ab-initio calculation  bond-charge model  space gaussian  pseudopotentials  temperature thermal-expansion  lattice-dynamical  properties  pressure dependences  gruneisen parameters  phonon  dispersions  elastic properties  electron-gas   Effect of Charge Redistribution on the Thermal-Expansion Behaviors in III-V Semiconductors 期刊论文  OAI收割 Journal of the Physical Society of Japan, 2009, 卷号: 78, 期号: 2 S. Q. Wang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 thermal-expansion coefficient  III-V semiconductor  first-principles  calculation  lattice dynamics  phonon dispersion  polarity  dynamic  effective charge  space gaussian pseudopotentials  ab-initio  gruneisen parameters  diamond  model  bond  solids  bas  electronegativity  crystals