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The influence of channel width on total ionizing dose responses of the 130 nm H-gate partially depleted SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 551-558
作者:  Xi, SX (Xi, Shan-Xue)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen)[ 1,2 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei)[ 1,2 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1,2 ]
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