机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 作者:  Sun, XL;  Wang, YY;  Yang, H;  Li, JB;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan  Hexagonal phase content  4-circle x-ray double crystal diffraction   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS