机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Energy band and acceptor binding energy of gan and alxga1-xn 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 204-206 作者:  Xia, JB;  Cheah, KW;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Acceptor binding energy  Hole effective-mass hamiltonian  Wurtzite gan   Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN 会议论文  OAI收割 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Xia JB; Cheah KW; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 acceptor binding energy  hole effective-mass Hamiltonian  wurtzite GaN   Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 204-206 Xia JB; Cheah KW; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 acceptor binding energy  hole effective-mass Hamiltonian  wurtzite GaN