机构

• 半导体研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354 Zhang YH; Lu LW; Zhang MH; Huang Q; Bao CL; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 low-temperature-grown GaAs  optical transient spectroscopy  BEAM-EPITAXIAL GAAS   Positron beam study of low-temperature-grown GaAs with aluminum delta layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 149, 页码: 159-164 作者:  Fleischer, S;  Hu, YF;  Beling, CD;  Fung, S;  Smith, TL   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/05/31 positron beam  low-temperature-grown GaAs  aluminum delta layers