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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

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• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2014 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199 作者:  Cai, Y (蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/02/03 Self-terminating  normally-off  AlGaN/GaN MOSFET  GaN cap layer  gate recess  recess mask