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长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
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Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4
作者:
Xie, X. H.
;
Li, B. H.
;
Zhang, Z. Z.
;
Shen, D. Z.
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提交时间:2019/09/17
zinc oxide
p-type
self-compens-tion
doping
molecular-beam epitaxy
thin-films
room-temperature
mgzno films
diodes
nanoparticles
modulation
gan(0001)
inversion
epilayers
Physics