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浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A class of finite element methods with averaging techniques for solving the three-dimensional drift-diffusion model in semiconductor device simulations 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS, 2022, 卷号: 458, 页码: 24 作者:  Zhang, Qianru;  Wang, Qin;  Zhang, Linbo;  Lu, Benzhuo   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2023/02/07 Three-dimensional drift -diffusion model  Averaging technique  Finite element method  Semiconductor device   Asymptotic convergence to planar stationary waves for multi-dimensional unipolar hydrodynamic model of semiconductors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF DIFFERENTIAL EQUATIONS, 2011, 卷号: 251, 期号: 4-5, 页码: 1305-1331 作者:  Huang, Feimin;  Mei, Ming;  Wang, Yong;  Yu, Huimin   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/07/30 Euler-Poisson equations  Unipolar hydrodynamic model of semiconductor  Nonlinear damping  Planar stationary waves  Asymptotic convergence  Exponential decay rates   ASYMPTOTIC CONVERGENCE TO STATIONARY WAVES FOR UNIPOLAR HYDRODYNAMIC MODEL OF SEMICONDUCTORS 期刊论文  OAI收割 SIAM JOURNAL ON MATHEMATICAL ANALYSIS, 2011, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 411-429 作者:  Huang, Feimin;  Mei, Ming;  Wang, Yong;  Yu, Huimin   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/30 Euler-Poisson  unipolar hydrodynamic model  semiconductor  nonlinear damping  asymptotic behavior  convergence rates   LARGE TIME BEHAVIOR OF SOLUTIONS TO N-DIMENSIONAL BIPOLAR HYDRODYNAMIC MODELS FOR SEMICONDUCTORS 期刊论文  OAI收割 SIAM JOURNAL ON MATHEMATICAL ANALYSIS, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 1595-1630 作者:  Huang, Feimin;  Mei, Ming;  Wang, Yong   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/07/30 bipolar hydrodynamic model  semiconductor  nonlinear damping  (planar) nonlinear diffusion waves  asymptotic behavior  convergence rates   Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503 作者:  Dong Z;  Huang BJ 收藏  |  浏览/下载：62/2  |  提交时间：2011/07/05 optoelectronic integrated circuit  complementary metal-oxide-semiconductor technology  silicon-based light emitting device  electroluminescence  AVALANCHE BREAKDOWN  PHOTON-EMISSION  CURRENT-DENSITY  DIODES  MODEL  ELECTROLUMINESCENCE  SUPERLATTICES  EFFICIENCY  JUNCTIONS  LEDS   Magnetic coupling properties of Mn-doped AlN nanowires: First-principles calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 15, 页码: 1686-1689, 1686-1689 作者:  Zhang YJ;  Shi HL;  Li RW;  Zhang P;  Zhang, P, LCP Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. zhang_ping@iapcm.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：54/7  |  提交时间：2011/07/05 Nanowire  Magnetic semiconductor  Level splitting  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  SUPERLATTICES  MODEL  GAN  Nanowire  Magnetic Semiconductor  Level Splitting  Semiconductors  Ferromagnetism  Superlattices  Model  Gan   Small-signal equivalent-circuit model and characterization of 1.55-mu m buried tunnel junction vertical-cavity surface-emitting lasers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on microwave theory and techniques, 2010, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 1283-1289 作者:  Zhu, Ning Hua;  Xu, Gui Zhi;  Hofmann, Werner;  Chen, Wei;  Boehm, Gerhard 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Equivalent-circuit model  Optical modulation  Scattering parameters  Semiconductor lasers  Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)   Small-Signal Equivalent-Circuit Model and Characterization of 1.55-mu m Buried Tunnel Junction Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on microwave theory and techniques, 2010, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 1283-1289 Zhu NH (Zhu Ning Hua); Xu GZ (Xu Gui Zhi); Hofmann W (Hofmann Werner); Chen W (Chen Wei); Bohm G (Boehm Gerhard); Liu; Y (Liu Yu); Wang X (Wang Xin); Xie L (Xie Liang); Amann MC (Amann Markus-Christian) 收藏  |  浏览/下载：127/1  |  提交时间：2010/06/04 Equivalent-circuit model  optical modulation  scattering parameters  semiconductor lasers  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)   Effect of Charge Redistribution on the Thermal-Expansion Behaviors in III-V Semiconductors 期刊论文  OAI收割 Journal of the Physical Society of Japan, 2009, 卷号: 78, 期号: 2 S. Q. Wang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 thermal-expansion coefficient  III-V semiconductor  first-principles  calculation  lattice dynamics  phonon dispersion  polarity  dynamic  effective charge  space gaussian pseudopotentials  ab-initio  gruneisen parameters  diamond  model  bond  solids  bas  electronegativity  crystals   Investigation of gain recovery for InAs/GaAs quantum dot semiconductor optical amplifiers by rate equation simulation 期刊论文  OAI收割 optical and quantum electronics, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 613-626 Xiao JL (Xiao Jin-Long); Yang YD (Yang Yue-De); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：106/2  |  提交时间：2010/08/17 Quantum dots (QDs)  Semiconductor optical amplifiers (SOAs)  Gain recovery  CARRIER DISTRIBUTION  DYNAMICS  SATURATION  RELAXATION  LASERS  MODEL