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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
1995 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
发表日期:1995
学科主题:光电子学
条数/页:
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Photoluminescence spectrum study of the GaAs/Si epilayer grown by using a thin amorphous Si film as buffer layer
期刊论文
OAI收割
jpn.j.appl.phys, 1995, 卷号: 34, 页码: l900-l902
Mao –Sheng Hao, Jun-Wu Liang, Lian-Xi Zheng, Li-Seng Deng, Zi-Bao Xiao, Xiong-Wei Hu
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提交时间:2014/05/14
PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM STUDY OF THE GAAS/SI EPILAYER GROWN BY USING A THIN AMORPHOUS SI FILM AS BUFFER LAYER
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 7b, 页码: l900-l902
HAO MS
;
LIANG JW
;
ZHENG LX
;
DENG LS
;
XIAO ZB
;
HU XW
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/17
GAAS/SI
PHOTOLUMINESCENCE
AMORPHOUS SI
SIMS
HALL MEASUREMENT
DOUBLE CRYSTAL X-RAY
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ON-SI
MOCVD
TEMPERATURE
MECHANISM
PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURE INTERFACES
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica-overseas edition, 1995, 卷号: 4, 期号: 7, 页码: 523-530
YUAN ZL
;
XU ZY
;
XU JZ
;
ZHENG BZ
;
LUO CP
;
YANG XP
;
ZHANG PH
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提交时间:2010/11/17