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  • 1997 [2]
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Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same 专利  OAI收割
专利号: US5679965, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21
作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK
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移動電子効果装置 专利  OAI收割
专利号: JP1997507967A, 申请日期: 1997-08-12, 公开日期: 1997-08-12
作者:  
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