机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1999 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Two-dimensional ordering of self-assembled InxGa1-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 481-488 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high-index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  ARRAYS  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Two-dimensional ordering of self-assembled InxGal-xAs quantum dots grown on GaAs(311)B surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 279-286 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 two-dimensional (2D) ordering  quantum dot array  InxGa1-xAs  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs(311)B  high index  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORGANIZED GROWTH  INAS ISLANDS  GAAS  GAAS(100)  ALIGNMENT  MATRIX  DISKS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY   Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively 会议论文  OAI收割 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Chen NF; Zhong XG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  CRYSTALS  DEFECTS