机构

• 半导体研究所 [24]

采集方式

• OAI收割 [24]

内容类型

• 期刊论文 [23]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1999 [24]

学科主题

• 半导体物理 [24]

筛选

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improvement of photoluminescence of strained SiGe/Si layers on patterned Si substrate 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1999, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 255-259 Si JJ; Guo LW; Yang QQ; Gao JH; Teng D; Zhou JM; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  semiconductors  thin films  luminescence  GROWTH  WELLS  SILICON QUANTUM WIRES   New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots 会议论文  OAI收割 25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998 Zhu HJ; Wang H; Wang ZM; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER   Exciton dynamics in self-organized InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 744-750 Lu ZD; Li Q; Xu JZ; Zheng BZ; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  ENERGY RELAXATION  TIME  PHOTOLUMINESCENCE   Investigation of periodicity fluctuations in strained (GaNAs)(1)(GaAs)(m) superlattices by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 2, 页码: 223-225 Pan Z; Wang YT; Zhuang Y; Lin YW; Zhou ZQ; Li LH; Wu RH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  GROWTH  ENERGY   Strain effect on the band structure of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1999, 卷号: 38, 期号: 11, 页码: 6264-6265 作者:  Wang HL;  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  band structure  relaxation  GAAS  TEMPERATURE   Quantum well controller 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 535-537 Xue FS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 Ultrafast low-temperature grown AlGaAs/GaAs photorefractive quantum wells using point defects as capture centers 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 10, 页码: 1366-1368 Zhang MH; Huang Q; Zhang YF; Zhou JM; Li Q; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  LAYERS  DEPENDENCE  LIFETIME   Influence of (001) vicinal GaAs substrates on the optical properties of defects in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 504-506 Zhang MH; Li Q; Zhang YF; Huang Q; Zhou JM; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  DYNAMICS   Analysis of the interfaces of [NiFe/Mo](30) and [Fe/Mo](30) multilayers 期刊论文  OAI收割 journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 945-954 Luo GM; Jiang HW; Wu F; Yan ML; Mai ZH; Lai WY; Dong C; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  GIANT MAGNETORESISTANCE  DIFFUSE-SCATTERING  REFLECTION  SUPERLATTICES  ROUGHNESS   New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 compound semiconductors 1998, 1999, 期号: 162, 页码: 433-437 Zhu HJ; Wang H; Wang ZM; Cui LQ; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  THRESHOLD  GROWTH  LASER