机构

• 新疆理化技术研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2006 [5]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 627-630 作者:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/11/29 运算放大器  结型场效应管  辐射损伤  低剂量率  加速评估   SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1608-1611 作者:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 SiGe异质结双极晶体管  电离辐射  退火  后损伤效应   CMOS器件预辐照筛选可行性及方法研究 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 470-473,495 作者:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS  预辐照  筛选  退火   InSb红外焦平面器件γ辐照损伤初步研究 期刊论文  OAI收割 红外技术, 2006, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 98-100 作者:  朱建妹;  靳涛;  刘普霖;  唐红兰;  陈伯良 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/11/29 红外焦平面  辐照损伤  InSb  γ射线   Radiation effects of the bipolar linear circuits and devices for high and low dose rate total dose irradiations 期刊论文  OAI收割 Research & Progress of Solid State Electronics, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 471-476 作者:  Ren Diyuan;  Lu Wu;  Yu Xuefeng;  Guo Qi;  Erkin   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29