中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
  • 微电子研究所 [13]
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助

限定条件                
条数/页： 排序方式：
一种后栅工艺MOS器件的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610166118.0, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2016-07-27
作者:  高建峰;  白国斌;  殷华湘;  李俊峰;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/03/26
一种MOSFET结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310477078.8, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-04-29
作者:  尹海洲
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/21
一种MOSFET结构及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310339819.6, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11
作者:  尹海洲;  张珂珂
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/03/14
一种半导体器件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310729611.5, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2015-07-01
作者:  许高博;  徐秋霞
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/14
基于浅沟道隔离技术的化学机械研磨终点检测方法及系统 专利  OAI收割
专利号: CN201110335135.X, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2012-03-28
作者:  叶甜春;  陈岚;  徐勤志;  阮文彪
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/11/03
栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN103545191A, 申请日期: 2014-01-29,
作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/06/12
栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN103545190A, 申请日期: 2014-01-29,
作者:  殷华湘;  杨红;  马雪丽;  王文武;  韩锴
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/13
一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410018922.5, 申请日期: 2014-01-15,
作者:  于洪宇;  张淑祥;  杨清华
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/03/26
化学机械研磨去除率计算的方法及设备 专利  OAI收割
申请日期: 2012-08-22,
作者:  徐勤志;  陈岚
  |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/05/27
化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法 专利  OAI收割
申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2012-11-20
作者:  徐勤志;  陈岚
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/20