机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [3]
• 1998 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 An ameliorated phase generated carrier demodulation algorithm with low harmonic distortion and high stability 期刊论文  iSwitch采集 Journal of lightwave technology, 2010, 卷号: 28, 期号: 22, 页码: 3258-3265 作者:  He, Jun;  Wang, Lin;  Li, Fang;  Liu, Yuliang 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Phase generated carrier (pgc)  Fiber-optic interferometer  Fiber-optic sensor  Harmonic distortion  Stability  Light intensity disturbance (lid)   Theoretical analysis and experimental study of the space-charge-screening effect in uni-traveling-carrier photodiode 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 4524-4529 Guo JC (Guo Jian-Chuan); Zuo YH (Zuo Yu-Hua); Zhang Y (Zhang Yun); Zhang LZ (Zhang Ling-Zi); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/17 uni-traveling-carrier  photodiode  space charge screening effect  MICROWAVE PHOTODETECTORS  DISTORTION  INGAAS   An Ameliorated Phase Generated Carrier Demodulation Algorithm With Low Harmonic Distortion and High Stability 期刊论文  OAI收割 journal of lightwave technology, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2010, 2010, 卷号: 28, 28, 期号: 22, 页码: 3258-3265, 3258-3265 作者:  He J (He Jun);  Wang L (Wang Lin);  Li F (Li Fang);  Liu YL (Liu Yuliang);  He, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Syst Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hejun07@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/12/12 Phase generated carrier (PGC)  Phase Generated Carrier (Pgc)  Fiber-optic Interferometer  Fiber-optic Sensor  Harmonic Distortion  Stability  Light Intensity Disturbance (Lid)  fiber-optic interferometer  fiber-optic sensor  harmonic distortion  stability  light intensity disturbance (LID)   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH