机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Defect formation and annealing behavior of si implanted by high-energy er-166 ions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2001, 卷号: 174, 期号: 1-2, 页码: 137-142 作者:  Li, YG;  Tan, CY;  Xue, CS;  Zhang, JP;  Xu, HL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Annealing behavior  Diffusion   2.0-mev er+ implanted in silicon: depth distribution, damage profile and annealing behaviour 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 71, 期号: 6, 页码: 689-693 作者:  Li, Y;  Tan, C;  Xia, Y;  Zhang, J;  Xue, C 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Radiation damage and annealing behavior of 2.0 mev er-160(+) implanted silicon 期刊论文  iSwitch采集 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 77, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Li, YG;  Tan, CY;  Zhang, JP;  Xue, CS;  Xu, HL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Damage profile  Annealing behavior