中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
金属研究所 [20]
长春光学精密机械与... [10]
物理研究所 [5]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [36]
内容类型
期刊论文 [32]
会议论文 [4]
发表日期
1998 [36]
学科主题
光学理论研究 [1]
应用光学技术 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共36条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:1998
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Influence of silicon tip arrays on effective work function of diamond
期刊论文
OAI收割
Journal of Vacuum Science & Technology B, 1998, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 710-711
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Gas sensing properties of asymmetrically substituted phthalocyanines bearing one crown ether ring
期刊论文
OAI收割
Thin Solid Films, 1998, 卷号: 324, 期号: 1—2, 页码: 277-280
Li X. Y.
;
Xu H. J.
;
Zhou Q. F.
;
Jiang D. P.
;
Zhang L. G.
;
Lu A. D.
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Growth and characterization of InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 1—2, 页码: 39-43
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Growth of GaSb-rich and InAs-rich GaInAsSb alloys on GaSb substrates by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 1998, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 121-125
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Analysis of the R(0)A product and detectivity in a GaInAsSb infrared photovoltaic detector
期刊论文
OAI收割
Journal of Physics D-Applied Physics, 1998, 卷号: 31, 期号: 22, 页码: 3291-3297
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Influence of H-2 plasma treatment on field emission from diamond films
会议论文
OAI收割
1998
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/03/28
Analysis of the quantum efficiency of a GaInAsSb photovoltaic detector
会议论文
OAI收割
1998
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2013/03/28
Crystalline state of InSb epilayers on GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
OAI收割
1998
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/03/28
Theoretical analysis of the Auger mechanism in a GaInAsSb infrared photovoltaic detector
期刊论文
OAI收割
Optical Engineering, 1998, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1754-1762
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2012/10/21
Compositional dependence of electrical properties of GaInAsSb quaternary alloy and novel structure of infrared detector
会议论文
OAI收割
1998
作者:
Jiang H.
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/03/28