机构

• 物理研究所 [1]
• 化学研究所 [1]
• 大连化学物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2003 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2003     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Liquid phase hydration of FCCC4 mixtures catalyzed by zeolite catalysts 期刊论文  OAI收割 chinese journal of catalysis, 2003, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 567-568 作者:  Wang, H;  Huang, T;  Chen, G;  Hu, YA;  Liu, ZM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/11/10 hydration  mixed C-4 hydrocarbons  zeolite  gasoline  octane number   Synthesis and crystal structure of 2,3-dibenzo-1,4,6-triazabicyclo[3.3.1]-2-nonenemonomuriate 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, 2003, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 710-713 作者:  Wang, HL;  Xue, GL;  Xu, YA;  Wang, LY;  Wang, WL   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/09 Synthesis  Crystal Structure  2  3-dibenzo-1  4  6-triazabicyclo[3.3.1]-2-nonenemonomuriate   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91 Lu, YA; Liu, XL; Lu, DC; Yuan, HR; Hu, GQ; Wang, XH; Wang, ZG; Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91-98 Lu YA; Liu XL; Lu DC; Yuan HR; Hu GQ; Wang XH; Wang ZG; Duan XF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 Si(111) substrate  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN