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机构
微电子研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
外文期刊 [4]
发表日期
2009 [1]
2005 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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内容类型:外文期刊
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Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Yan, L
;
Zhang, XW
;
Xiao, ZS
;
Chu, PK
;
Wang, WW
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
外文期刊
OAI收割
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of partially depleted SOIPMOSFET
外文期刊
OAI收割
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Scattering
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation
外文期刊
OAI收割
2005
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Li, GH
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提交时间:2010/11/26
Oxides