机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films 期刊论文  OAI收割 science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242 Liu, B; Zhang, R; Xie, ZL; Xiu, XQ; Li, L; Kong, JY; Yu, HQ; Han, P; Gu, SL; Shi, Y; Zheng, YD; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：48/2  |  提交时间：2010/03/08 metalorganic chemical vapor deposition  X-ray diffraction  photoluminescence   The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 会议论文  OAI收割 3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005 Zhang, S; Hu, Z; Raniero, L; Liao, X; Ferreira, I; Fortunato, E; Vilarinho, P; Perreira, L; Martins, R 收藏  |  浏览/下载：209/71  |  提交时间：2010/03/29 silicon carbide  high temperature annealing  thin film  SILICON  PECVD   Hydrogen adsorption induced surface reconstructions on Si(113) studied by LEED 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: 101-105 Hu XM; Feng K; Lin ZD; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 SI