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机构
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
学科主题:半导体材料
条数/页:
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC