机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2001 [1]
• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 Mn doping  magnetron sputtering  MnxSi1-x  diluted magnetic  THIN-FILMS  SPIN-PHOTONICS  SEMICONDUCTORS  GROWTH  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 808-814 Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Ran JX; Fang CB; Li JP; Zeng YP; Li JM; Liu XY; Liu J; Qian H 收藏  |  浏览/下载：326/7  |  提交时间：2010/04/11 HEMT  GaN  MOCVD  power device  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  SURFACE PASSIVATION   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS