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机构
上海技术物理研究所 [17]
采集方式
OAI收割 [17]
内容类型
学位论文 [17]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [3]
2008 [2]
2006 [2]
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学科主题
红外探测材料与器件 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:红外探测材料与器件
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InAs/GaSb II类超晶格红外探测器材料与器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
周易
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提交时间:2012/09/11
Inas/gasb Ii类超晶格
分子束外延
红外探测器
暗电流
快速热退火
AlGaN p-i-n型日盲探测器及AlGaN/PZT紫外/红外双色器件研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李超
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/09/11
吸收系数
欧姆接触
二维空穴气
Algan P-i-n型日盲探测器
紫外/红外双色
碲镉汞红外光伏探测器表面钝化特性和可靠性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
邓屹
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞
双层钝化
湿法腐蚀
真空烘烤
实时辐照
空间遥感用短波红外InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李淘
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提交时间:2012/09/11
短波红外探测器
铟镓砷
暗电流
低频噪声
辐照
高In组分InGaAs短波红外线列探测器技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
张可锋
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提交时间:2012/08/22
Ingaas
短波红外探测器
空间遥感
焦平面
测试结构
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
牛津型斯特林制冷机可靠性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
刘心广
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提交时间:2012/08/22
牛津型斯特林制冷机
失效分析
磨损
气体污染
可靠性评价
HgCdTe双层组分异质结技术及其性能评价
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
焦翠灵
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/08/22
Hgcdte
液相外延
双层组分异质结
化学染色法
红外透射光谱
X光衍射
双晶半峰宽
晶格失配
探测率
超薄Ag膜特性和宽光谱分色片研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
赵培
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提交时间:2012/08/22
超薄ag膜
光学常数
宽光谱分色片
Ito薄膜
GaN紫外及HgCdTe红外探测器的表面与界面研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
汤英文
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提交时间:2012/07/11
Gan
Hgcdte
表面处理
欧姆接触
光化学腐蚀
紫外探测器
红外探测器