机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [2]
• 2010 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386 X. Rong; X. Q. Wang; G. Chen; X. T. Zheng; P. Wang; F. J. Xu; Z. X. Qin; N. Tang; Y. H. Chen; L. W. Sang; M. Sumiya; W. K. Ge; B. Shen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/03/18 Intrinsic photoinduced anomalous Hall effect in insulating GaAs_AlGaAs quantum wells at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 20, 页码: 202408 - 202408-5 J. L. Yu, Y. H. Chen, Y. Liu, C. Y. Jiang, H. Ma, L. P. Zhu, X. D. Qin 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/18 Observation of circular dichroism in (001)-oriented P-I-N InGaAs/GaAs quantum wells without magnetic field 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: 072404 Yu, J. L.; Chen, Y. H.; Liu, Y.; Jiang, C. Y.; Ma, H.; Zhu, L. P.; Qin, X. D. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/22 The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513 Zhou GY (Zhou G. Y.); Chen YH (Chen Y. H.); Tang CG (Tang C. G.); Liang LY (Liang L. Y.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/12/05 QUANTUM-DOT SYSTEM  ISLAND FORMATION  IN-SITU  EVOLUTION  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Room-temperature continuous-wave operation of InAs quantum-wire laser on InP(001) substrate 期刊论文  OAI收割 electronics letters, 2006, 卷号: 42, 期号: 13, 页码: 757-758 Yang XR (Yang X. R.); Xu B (Xu B.); Wang ZG (Wang Z. G.); Jin P (Jin P.); Liang P (Liang P.); Hu Y (Hu Y.); Sun H (Sun H.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu FL (Liu F. L.) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 DOTS