机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2013 [1]
• 2010 [2]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5 G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/02/12 Gate controlled Aharonov-Bohm-type oscillations from single neutral excitons in quantum rings 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 7, 页码: art. no. 075309 Ding F (Ding F.); Akopian N (Akopian N.); Li B (Li B.); Perinetti U (Perinetti U.); Govorov A (Govorov A.); Peeters FM (Peeters F. M.); Bufon CCB (Bufon C. C. Bof); Deneke C (Deneke C.); Chen YH (Chen Y. H.); Rastelli A (Rastelli A.); Schmidt OG (Schmidt O. G.); Zwiller V (Zwiller V.) 收藏  |  浏览/下载：185/34  |  提交时间：2010/09/07 ENERGY-SPECTRA   Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文  OAI收割 journal of the electrochemical society, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 2010, 卷号: 157, 157, 期号: 7, 页码: h721-h726, H721-H726 作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.)   |  收藏  |  浏览/下载：293/52  |  提交时间：2010/06/18 atomic force microscopy  Atomic Force Microscopy