机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 1991 [1]
• 1987 [1]
• 1985 [3]

学科主题

• 半导体物理 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 SHEAR-DEFORMATION-POTENTIAL CONSTANT OF THE CONDUCTION-BAND MINIMA OF SI - EXPERIMENTAL-DETERMINATION BY THE DEEP-LEVEL CAPACITANCE TRANSIENT METHOD 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 17, 页码: 14040-14046 LI MF; ZHAO XS; GU ZQ; CHEN JX; LI YJ; WANG JQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  SEMICONDUCTORS  CAPTURE  CENTERS  ELECTRONS  EMISSION   PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF ALXGA1-XAS-GAAS MULTIPLE QUANTUM-WELL STRUCTURES UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 1987, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 799-807 ZHAO XS; LI GH; HAN HX; WANG ZP; CHEN ZG; SUN DZ; KONG MY; TANG RM; WANG LJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 RAMAN AND INFRARED-SPECTRA OF CHLORINATED AND HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 1985, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 232-236 WANG ZP; HAN HX; LI GH; ZHAO XS 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 1985, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 337-340 ZHAO XS; LI GH; HAN HX; WANG ZP; TANG RM; CHE RZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 A STUDY OF PHOTOLUMINESCENCE OF GAP(N, TE, ZN) UNDER HIGH-PRESSURES 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 1985, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 576-580 ZHAO XS; LI GH; HAN HX; WANG ZP; TANG RM; HU TZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15