机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2002 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 半导体物理 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic structure and magnetic coupling properties of Gd-doped AlN: first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 european physical journal b, EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2010, 2010, 卷号: 77, 77, 期号: 3, 页码: 345-349, 345-349 作者:  Zhang YJ (Zhang Y. J.);  Shi HL (Shi H. -L.);  Wang SX (Wang S. X.);  Zhang P (Zhang P.);  Li RW (Li R. W.)   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/27 Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS   Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides 会议论文  OAI收割 7th international conference on defect recognition and image processing in semiconductors (drip-vii), templin, germany, sep 07-10, 1997 Peng RW; Ding YQ; Xu CM; Wang XG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH   Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides 期刊论文  OAI收割 defect recognition and image processing in semiconductors 1997, 1998, 卷号: 160, 期号: 0, 页码: 417-420 Peng RW; Ding YQ; Xu CM; Wang XG 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROWTH