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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
学科主题:半导体材料
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
OAI收割
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:48/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
OAI收割
3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
收藏
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浏览/下载:209/71
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提交时间:2010/03/29
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Hydrogen adsorption induced surface reconstructions on Si(113) studied by LEED
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: 101-105
Hu XM
;
Feng K
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/17
SI