机构

• 新疆理化技术研究所 [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文  OAI收割 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230 作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29 CMOS运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态